目前针对Cortex-M3的开发示例大都以MDK的工程来提供，所以MDK更适合Cortex-M3的开发才对，难到几万元的RVDS其开发表现不如万元左右的MDK开发工具吗，实际情况又如何呢？
开发板：EM-STM3210E 和 EM-STM3210E-EVAL
CPU：STM32F103ZE
目标源码：Microsoft .Net Micro Framework v4.0 for Cortex-M3
一、编译
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编译模式 |
Debug |
Release |
RTM |
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MDK |
RAM |
正常 |
异常 |
异常 |
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FLASH |
正常 |
异常 |
异常 |
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RVDS |
RAM |
异常 |
正常 |
异常 |
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FLASH |
异常 |
异常 |
异常 |
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所谓异常，其实问题很简单，就是CRC计算的代码出了问题，相关代码如下：
UINT32 SUPPORT_ComputeCRC( const void* rgBlock ,int nLength , UINT32 crc)
{
const UINT8* ptr = (const UINT8*)rgBlock;
while(nLength-- > 0)
{
crc = c_CRCTable[ ((crc >> 24) ^ (*ptr++)) & 0xFF ] ^ (crc << 8);
}
return crc;
}
在出现异常的版本中，代码运行到crc = c_CRCTable[ ((crc >> 24) ^ (*ptr++)) & 0xFF ] ^ (crc << 8);时，程序即出现异常，并且是rgBlock地址在外扩SRAM或片内FLASH时才出现这个问题，有时执行多个循环才会出现这种情况（为了锁定和捕捉该错误，花了我许久的时间才定位到此处）。STM32F103ZE包含CRC计算功能，但是以4个字节为计算单位，所以不太适用。
从以上表现来看，MDK和RVDS的编译结果还是有比较大的区别的，所以建议嵌入式开发者要多测试几款工具，才能真正定位自己的问题。
二、调试
由于目前EM-STM3210E 和 EM-STM3210E-EVAL开发板并没有提供一款直接初始化片外SRAM的软件，所以要调试RAM版本的程序，MDK或RVDS都需要编写调试脚本（如何编写调试脚本？请参见：）
用MDK调试Cortex-M3和调试ARM9或ARM7平台一样，直接调试即可。但是用RVDS调试却有不同，为了能正常调试，还是费了不少周折的。
在用RVDS调试Cortex-M3时，要确保上图所示的 [State]中的“t”为“T”。
有意思的是，这个选项和BOOT的启动选项有很大关系，如果设为“系统启动”模式，则上图的“t”自动为“T”，可以直接进行调试，其它两种模式“用户启动”和“RAM启动”都默认为“t”，需要手动切换为“T”。
此外RVDS显示的指令地址有些问题（最低位并不为1），而MDK却一切正常。
三、其它
ARM开发板，其中基于STM32F103ZE CPU的开发板有三款
从我目前的调试经验来看，如果调试基于ARM7或ARM9的开发板，RVDS还是非常强大的，不过如果要调试基于Cortex-M3的开发板（特别是STM32系列），我倒是建议采用MDK来进行调试，不仅价格便宜，综合表现也不错。
最近一段时间，.Net Micro Framework for Cortex-M3除了USB驱动移植成功外，还开发了一个轻量级TinyGUI，在低内存的Cortex-M3开发板上有不俗的表现，我在后续的博文中会进行相关的介绍。